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国内研究判断碳纳米管(CNT)基或在电子产品中替代硅基材料
2020年01月03日 发布 分类:行业要闻 点击量:239
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专家预计到2020年底,硅互补金属氧化物半导体(CMOS)的使用将开始迅速下降,但还没有确定一类可以有效维持硅的计算能力的替代材料。在过去的几年里,研究人员提出了几种可以最终替代硅互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的材料。一些可能性的选择都是基于碳纳米管(CNT)的电子产品,可以利用多种不同的技术来制造碳纳米管。

 

北京大学和湘潭大学的研究人员最近进行了一项研究,主要研究碳纳米管材料在制造电子产品中的潜力。研究结果发表在《自然电子》上,研究人员讨论了纳米管基CMOS场效应晶体管的发展,同时重点介绍了电子制造商当前可主要采用的一些CNT材料。

CNT的相关物理参数,例如其结构和电子性质,在电子领域中是众所周知的。为了有效地探索CNT材料的潜在局限性。研究人员着重研究这些特定参数,分析了各个CNT的性能和质量。结果表明,在低于10 nm的技术节点上,CNT晶体管的速度可以比硅晶体管快3倍,能源效率高4倍。“我们证明,即使使用非常有限的大学制造设施,也可以制造出许多性能优于硅晶体管的晶体管,这表明芯片行业可以在目前的速度下前进数十年。”

这项研究结果提供了进一步的证据,表明CNT晶体管是当前硅CMOS器件的可行且理想的替代方案。在分析中,研究人员还强调了迄今为止已开发的中规模集成电路的一些优缺点,以及当前阻碍其大规模实施的挑战。

参考来源:中科院上硅所


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